EUV(极紫外)光刻技术

光刻工艺需要将图案转移到晶圆的每一层。光线通过掩膜(待印图案的蓝图)投射,并通过多个光学器件聚焦到涂有光刻胶的晶圆表面。

在过去几十年里,大气压力条件下的深紫外 (DUV) 技术广泛使用,光的波长为 193 纳米。然而,当需要实现更小的临界尺寸时,由于需要的光波长更短,这种技术就达到了极限:为了处理小于 10 纳米的节点,一种名为 EUV(极紫外线)的新技术应运而生。

应用要求

  • 功耗低,维护间隔长,因此拥有成本低
  • 高氢气抽吸能力
  • 基础压力低
  • 占地面积小

它是如何工作的?
EUV 技术的开发历时 20 余年,而 EUV 设备也是有史以来最复杂的机器类别之一(例如,这类系统内有超过 10 万个零部件)。简而言之,在 EUV 光源腔中,通过高功率激光脉冲(每秒 50,000 次)击中锡滴而产生等离子体。这种等离子体会发射波长为 13.5 纳米的 EUV 光。然后,EUV 光被引导并聚焦到反射掩模上,最后通过连续的多层反射镜照射到晶圆上。由于任何物质都会吸收 EUV 光,因此这一流程需要在真空环境下进行。

真空需求
在 EUV 光源腔中,需要用大氢气流来保护 EUV 收集镜避免产生锡沉积。为此可使用具有高氢气抽吸能力的初级干式泵维持所需的压力水平。EUV 光线通过扫描室传输到晶圆,此过程依靠涡轮泵来保持极低的工作压力。

产品组合
要满足这种颇具挑战性的要求,普发真空拥有正确的技术。我们兼具高容量和高流量的 ADH 系列干式泵具有市场上最高的氢气抽吸能力,搭配我们最新的高容量 HiLobe 罗茨风机,便成为完美的选择。

对于二次真空要求,我们的解决方案是无振动和高氢气容量的 HiPace 和 ATH M 涡轮泵。此外,这些设备只能在最严格的密封条件下运行,这一点可通过我们的高性能氦气检漏仪得到保证。

除了 EUV 系统本身,还有数百种零部件需要在真空环境下开发或制造:普发真空是全球主要真空供应商之一,为整个 EUV 生态系统提供解决方案:从小型风冷干式泵 ACP 系列到高容量涡轮泵、DigiLine 真空计和真空元件,普发真空为光刻应用提供了一套完整的真空解决方案。

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